STMicroelectronics STH410N4F7-6AG MOSFETs Automotive-grade N-channel Power MOSFET 40 V, 0.8 mOhm typ, 200 A STripFET F7

Cấu hình: Single

Công nghệ: Si

Kiểu gắn: SMD/SMT

Tiêu chuẩn: AEC-Q101

Thương hiệu: STripFET

Chế độ kênh: Enhancement

Loại transistor: 1 N-Channel

Thời gian tăng: 198 ns

Thời gian giảm: 44.2 ns

Loại sản phẩm: MOSFETs

Số lượng kênh: 1 Channel

Cực tính transistor: N-Channel

Pd - Tiêu tán nguồn: 365 W

Đóng gói / Vỏ bọc: H2PAK-6

Đơn vị Khối lượng: 1.380 g

Qg - Điện tích cực cổng: 120 nC

Id - Dòng cực máng liên tục: 200 A

Nhiệt độ làm việc tối đa: + 150 C

Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 55 C

Thời gian trễ khi bật điển hình: 35 ns

Thời gian trễ khi tắt điển hình: 108 ns

Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn: - 20 V, + 20 V

Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn: 1.1 mOhms

Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn: 4 V

Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn: 40 V