Microchip Technology APT48M80L MOSFETs MOSFET MOS8 800 V 48 A TO-264

Chiều cao: 21.46 mm

Cấu hình: Single

Chiều dài: 16.26 mm

Công nghệ: Si

Kiểu gắn: Through Hole

Chiều rộng: 5.31 mm

Chế độ kênh: Enhancement

Thời gian tăng: 42 ns

Thời gian giảm: 70 ns

Loại sản phẩm: MOSFETs

Cực tính transistor: N-Channel

Pd - Tiêu tán nguồn: 1.135 kW

Đóng gói / Vỏ bọc: TO-247-3

Đơn vị Khối lượng: 6 g

Qg - Điện tích cực cổng: 305 nC

Id - Dòng cực máng liên tục: 49 A

Nhiệt độ làm việc tối đa: + 150 C

Nhiệt độ làm việc tối thiểu: - 55 C

Độ hỗ dẫn thuận - Tối thiểu: 43 S

Thời gian trễ khi bật điển hình: 55 ns

Thời gian trễ khi tắt điển hình: 230 ns

Vgs - Điện áp cực cổng-cực nguồn: - 30 V, + 30 V

Rds Bật - Điện trở trên cực máng-cực nguồn: 190 mOhms

Vgs th - Điện áp ngưỡng cực cổng-cực nguồn: 4 V

Vds - Điện áp đánh thủng cực máng-cực nguồn: 800 V